삼성, 평택 파운드리 이어 낸드 투자···'초격차' 전략

[서울파이낸스 오세정 기자] 삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축한다. 앞서 평택에 자외선(EUV) 파운드리(주문 생산)를 신설하겠다고 밝힌 후 10여일만의 추가 투자 공개다. 삼성전자가 잇따라 조 단위의 대규모 반도체 투자에 나선 것은 글로벌 '초격차'를 확대하겠다는 전략의 일환으로 풀이된다.

 

1일 삼성전자는 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행한다고 밝혔다. 삼성전자는 지난 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했다. 양산 시점은 내년 하반기를 목표로 하고 있다.

 

이번 투자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위한 결정으로 알려졌다. 최근 '언택트' 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상했기 때문이다.

 

업계에서는 이번 투자를 7~8조 규모로 관측하고 있다. 앞서 발표한 제2공장 자외선(EUV) 파운드리 투자액은 10조원 수준이 될 것으로 예상된다. 10여일 사이 발표한 투자 규모만 최대 18조원에 달하는 셈이다.

 

삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다. 이재용 삼성전자 부회장은 지난달 21일 평택 EUV 파운드리 생산라인 조성 결정 때 "어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다"고 했다.

 

삼성전자 평택캠퍼스는 2015년 조성됐다. 부지는 총 4개 공장이 들어설 수 있는 규모로, 현재 건설된 2개 공장은 각각 단일 반도체 생산시설로는 세계 최대 규모다. 현재 1라인이 가동 중이며 이곳에서는 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체가 생산된다. 1라인 투자에만 약 30조원을 쏟아부었다. 현재 공사 중인 2라인 역시 메모리반도체가 생산될 예정인데 이번 증설되는 생산라인에서는 최첨단 V낸드 제품이 양산된다.

 

이번 투자로 삼성전자 평택캠퍼스는 '최첨단 반도체 복합생산기지'로 거듭나게 될 것이라는 게 업계 평가다. 특히 코로나19와 미·중 분쟁 등 불확실성 속에서 내린 이번 결정을 두고 이재용 부회장의 반도체 분야 '글로벌 초격차 확대'라는 혁신 의지가 반영된 것이라는 분석도 있다.

 

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있다. 지난해 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산했다.

 

삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이다. 향후 국내외 균형있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장리더십을 더욱 강화할 방침이다.

 

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응해 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 말했다.