[서울파이낸스 박지은기자] 삼성전자가 중국에 신축한 현지 메모리 반도체 공장이 본격적으로 가동된다.
삼성전자는 9일 중국 산시성 시안시에 신축한 메모리 반도체 공장에서 준공식을 갖고 본격적인 제품 생산을 시작했다고 밝혔다.
이날 준공식에는 자오쩡융 산시성 성위서기, 러우친젠 산시성 성장,먀오웨이 공신부, 쉬셴핑 국가발개위 부주임 등 중국 고위 관료와 권영세 주중 한국대사, 전재원 주시안 총영사 그리고 권오현 삼성전자 부회장 등이 참석했다.
러우친젠 산시성 성장은 준공식 축사에서 "삼성 프로젝트가 성공적으로 마무리 되었다"며 "산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것"이라고 밝혔다.
권오현 부회장도 기념사에서 "과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이 곳 시안 공장이 '21세기 디지털 실크로드'의 출발점이 되기를 희망 한다"고 전했다.
이번에 건립된 삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 통해 완성됐다.
단지는 총 34.5만평의 부지에 연면적 7만평 규모로 건설되었으며, 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산한다.
이로써 한국, 중국, 미국을 연결하는 삼성전자의 '글로벌 반도체 생산 3거점 체제'도 완성됐다. 삼성전자의 글로벌 반도체 생산 3거점 체제란 △시스템 반도체 중심의 미국 △메모리 반도체 중심의 중국 △모든 반도체 제품을 생산·조정하는 한국의 생산 기지 구축을 의미한다.
삼성전자는 신축 공장에서 10나노급 낸드플래시 제품의 듀얼 생산체계를 구축해 생산규모도 확대할 방침이다.
한편, 삼성전자는 2014년 말까지 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인도 완공할 계획이다.
