SK하이닉스, 엔비디아에 'HBM3E' 샘플 공급···"내년 상반기 양산"
SK하이닉스, 엔비디아에 'HBM3E' 샘플 공급···"내년 상반기 양산"
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SK하이닉스가 'HBM3E' 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다. (사진=SK하이닉스)
SK하이닉스가 'HBM3E' 성능 검증 절차를 진행하기 위해 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다. (사진=SK하이닉스)

[서울파이낸스 이서영 기자] SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 메모리 반도체 D램 신제품인 'HBM3E' 성능 검증 절차를 진행하기 위해 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.

고대역폭메모리(HBM)는 여러 개의 D램을 수직 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다.

SK하이닉스가 이번에 개발한 HBM3E는 5세대 제품이다. 이 회사가 업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 독점적으로 양산해온 'HBM3'의 확장(Extended) 버전이다.

이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다. 속도 측면에서 HBM3E는 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 약 5GB(기가바이트) 크기의 FHD(풀HD)급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리한다.

아울러 이번 제품에 '어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfil)' 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. 이 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 데, 열 방출에 효과적이다.

류성수 SK하이닉스 부사장은 "당사는 HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 했다"며 "고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것"이라고 말했다.



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