"LPDDR5X CAMM2, PC 시장 넘어 데이터센터로 응용처 확대"
[서울파이낸스 여용준 기자] 삼성전자가 11나노급 D램과 더블 스택 구조 9세대 V낸드로 새로운 시장을 열어가겠다는 포부를 밝혔다.
이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 삼성전자 반도체뉴스룸에 낸 기고문을 통해 이 같이 밝혔다.
이 사장은 "앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 "D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구개발하고 있으며, V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이고, 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사의 강점을 지속 고도화해 나갈 것"이라고 밝혔다.
이어 "V낸드의 입출력(I/O) 스피드를 극대화하기 위해 신구조 도입을 준비하는 등 새로운 가치 창출을 위한 차세대 혁신 기술을 착실히 개발 중"이라고 전했다.
이와 함께 "현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것"이라며 "9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다"고 전했다.
또 최근 삼성전자가 업계 최고 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했다는 점을 강조하며 "앞으로 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 1테라바이트(TB) 용량의 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션으로 확장해나갈 것"이라고 했다. 이와 함께 "CMM(CXL Memory Module) 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다"고 전했다.
이 사장은 "현재 HBM3을 양산 중이고 차세대 제품인 HBM3E도 정상 개발하고 있다"며 "다년간의 양산 경험을 통해 검증된 기술력과 다양한 고객과의 파트너십을 적극 활용해 최고 성능의 HBM을 제공하고 향후 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것"이라고 밝혔다.
이어 "저전력 특화 제품인 LPDDR D램은 하이케이 메탈 게이트 공정을 적용해 고성능을 구현하는 동시에 모듈 형태로 구현한 LPDDR5X CAMM2 솔루션으로 PC 시장은 물론 데이터센터로 응용처를 확대할 계획"이라고 전했다. 하이케이 메탈 게이트는 누설전류를 최소화하기 위해 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 기술을 말한다.
그는 "메모리 병목현상 개선을 위해 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부 혹은 모듈 레벨에서 구현하는 PIM, PNM 기술을 HBM, CMM 등의 제품에 적용해 데이터 연산 능력을 획기적으로 개선하는 동시에 전력 효율을 높이는 데 집중하겠다"며 "서버 스토리지 역시 응용처에 따라 용량을 변화시키고, 페타바이트급으로 확장할 수 있는 PB(Petabyte) SSD를 곧 선보일 예정"이라고 강조했다.
이와 함께 이 사장은 "삼성전자는 고부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 높이고 초거대 AI 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기 대응해 사업의 가치를 높이는 데 집중하고 있다"며 "이와 동시에 투자는 지속하면서, 수요 변동성과 메모리 제품의 긴 생산 리드 타임(Lead time)을 극복하기 위해 메모리 라인 운영을 고도화해나갈 것"이라고 말했다.
한편 삼성전자는 오는 20일 미국 실리콘밸리에서 '삼성 메모리 테크 데이 2023'을 열고 이 같은 비전과 기술, 제품에 대해 구체적으로 소개한다.
