이재용, 삼성 찾은 바이든에 '3나노 공정' 세계 최초 공개
이재용, 삼성 찾은 바이든에 '3나노 공정' 세계 최초 공개
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취임 후 한국을 첫 방문한 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 20일 오후 경기도 평택시 삼성전자 반도체공장을 방문, 이재용 부회장의 안내를 받으며 공장을 시찰하고 있다. (사진=연합뉴스)
취임 후 한국을 첫 방문한 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 20일 오후 경기도 평택시 삼성전자 반도체공장을 방문, 이재용 부회장의 안내를 받으며 공장을 시찰하고 있다. (사진=연합뉴스)

[서울파이낸스 김호성 기자] 조 바이든 미국 대통령이 20일 경기도 오산 미국 공군기지에 도착한 후 삼성전자 반도체 평택캠퍼스를 찾았다. 윤석열 대통령과 이재용 삼성전자 부회장이 바이든 대통령의 첫 방한 일정에 동행했다. 이 부회장은 직접 나서 평택캠퍼스를 안내했다.

특히 이날 이 부회장은 바이든 대통령에게 세계 최초로 개발한 3㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 공정을 처음으로 소개했다. 삼성전자의 3나노미터 공정이 공개된 것은 이번이 처음이다.

이어 바이든 대통령은 평택캠퍼스 방문에서 윤석열 대통령과 함께 방명록 대신 반도체 웨이퍼에 서명했다. 웨이퍼는 반도체의 재료가 되는 얇은 실리콘 판이다.

삼성전자가 상반기 양산을 밝힌 차세대 GAA(게이트올어라운드) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품이라 더 의미가 있다는 평가다. 삼성이 기술력에서 경쟁자인 TSMC보다 6개월이나 앞선 첨단 미세공정 제품을 한미 양국 정상 앞에 선보인 것이다.

삼성전자는 올해 상반기 중으로 GAA 기술을 적용한 3나노 1세대 제품 양산을 시작할 예정이다. 이를 위해 기술 개발을 마치고 양산 돌입을 위한 준비를 진행 중으로 알려졌다.

GAA는 기존 핀펫 기술보다 칩 면적과 소비전력은 줄이면서 성능은 높인 독자적인 신기술이다. 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 중 10나노 미만의 미세공정 기술력을 갖춘 기업은 삼성전자와 대만의 TSMC 뿐이다.

앞서 바이든 대통령의 삼성전자 반도체 평택캠퍼스 방문이 확정된 이후 반도체 업계에서는 이 부회장이 차세대 GAA기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품을 소개하며 삼성의 기술력을 강조할 것이라는 관측이 제기됐다.  

아울러 이 부회장이 평택캠퍼스에 4공장(P4)를 증설하겠다는 계획을 내놓을 수 있다는 예상도 나왔다.

미국의 반도체 공급망 재편 계획에 힘을 실어주는 동시에 반도체 공급을 늘려 전 세계 반도체 부족 현상을 빠르게 해소하겠다는 의지다. 이에 대한 화답으로 미국은 다른 국가로 수출을 제한하는 반도체 장비 공급을 허가할 가능성이 크다.

삼성전자를 중심으로 한 반도체 협력이 강화되면서 한미 기업간 투자 확대로 연결될 가능성도 있다. 이는 일자리 확대로 이어지면서 중간선거를 앞둔 바이든 대통령에게 힘을 실어줄 수 있다. 

바이든 행정부는 자국 내 반도체 첨단 공장 유치를 위해 미국경쟁법안 통과를 서두르고 있다. 이는 미국에 반도체 공장을 짓는 기업에 보조금을 지급하는 것으로 총규모는 520억달러(약 66조원)에 달한다.

이를 감안해 삼성전자는 지난해 11월 미국 텍사스주 테일러시에 170억달러(약 21조원)를 투입해 첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 짓겠다고 선언했다. TSMC 또한 미국 애리조나에 1000억달러를 투자해 공장을 짓는다.


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