삼성전자, 5세대 HBM '샤인볼트' 공개···"메모리 혁신으로 초격차"
삼성전자, 5세대 HBM '샤인볼트' 공개···"메모리 혁신으로 초격차"
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미 실리콘밸리서 '삼성 메모리 테크데이 2023' 개최
1초에 4GB 고화질 영화 300개 처리···AI 칩시장 주도
GDDR7 D램, 페타바이트 SSD 등 차세대 제품 공개
20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서 메모리사업부 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습. (사진=삼성전자)
20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장이 차세대 메모리 반도체 제품에 대해 발표하고 있다. (사진=삼성전자)

[서울파이낸스 여용준 기자] 삼성전자가 1초에 1.2테라바이트(TB. 1TB는 1000GB)의 데이터를 처리하는 메모리 반도체를 공개했다. 초거대 AI 시대에 대비한 차세대 반도체다. 

삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 '삼성 메모리 테크데이 2023'을 개최하고, 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.

'메모리 역할의 재정의'(Memory Reimagined)라는 주제로 열린 이번 행사는 글로벌 IT 고객과 파트너사, 애널리스트 등 600여명이 참석한 가운데 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장, 짐 엘리엇 미주총괄 부사장, 업계 주요 인사 등이 차세대 반도체 주요 제품을 소개했다.

삼성전자는 이날 클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 반도체 기술 트렌드를 공유하고 △AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트' △차세대 PC·노트북 D램 시장을 위한 'LPDDR5X CAMM2' △스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 'Detachable 오토SSD'(탈부착 가능한 차량용 SSD) 등 차별화한 메모리 솔루션을 소개했다. 에지 디바이스는 데이터를 생성, 활용, 소비하는 모든 기기를 말한다.

삼성전자는 메모리 혁신을 통해 AI시대에도 초격차를 지켜내겠다는 구상이다. 이정배 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며 "무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 10나노 이하 D램 제조공정에서 3차원(D) 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩 용량을 100Gb 이상으로 확장할 계획이라고 밝혔다. 또 9세대 V낸드플래시 메모리에서 더블 스택(양쪽으로 쌓는) 구조로 구현할 수 있는 1000단 이상의 최고 단수낸드를 개발 중이라고 밝혔다. 이 사장은 내년 초 9세대 V낸드 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다.

삼성전자가 이번에 공개한 '샤인볼트'는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps 고성능 데이터 처리속도를 제공한다. 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 1초에 4GB 고화질 영화 300개를 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 NCF 기술 최적화를 통해 칩 사이를 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성 또한 개선했다고 설명했다. NCF(Non-conductive Film, 비전도성 접착 필름)는 적층된 칩 사이를 절연시키고 충격으로부터 연결 부위를 보호하기 위해 사용하는 고분자 물질을 말한다.

삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이다. 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 회사 측은 밝혔다. 또 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이라고 덧붙였다.

이 밖에 △현존 최대 용량 '32Gb DDR5(Double Data Rate) D램' △업계 최초 '32Gbps GDDR7(Graphics Double Data Rate) D램' △저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 'PBSSD(Petabyte Storage)' 등도 공개했다.

이날 삼성전자는 사용자 기기 단에서 고성능·고용량·저전력·작은 폼팩터 등을 지원하는 솔루션도 선보였다. 특히 업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 참석자 이목을 집중시켰다. 또 △9.6Gbps LPDDR5X D램 △온디바이스 AI에 특화된 LLW(Low Latency Wide I/O) D램 △차세대 UFS 저장장치 제품 △PC용 고용량 QLC SSD BM9C1 등을 공개했다.

삼성전자는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 'Detachable 오토SSD'도 공개했는데, 이 제품은 최대 초당 6.5GB 연속 읽기 속도를 지원하며, 4TB 용량을 제공한다. 회사는 이외에도 차량용 △고대역폭 GDDR7 △패키지 크기를 줄인 LPDDR5X 등을 선보였다.

한편 삼성전자는 데이터센터, PC·모바일 기기 등에서 사용되는 메모리의 전력 소비량을 절감하고 포터블 SSD 내 재활용 소재 적용 등을 통해 탄소를 저감할 계획이라고 밝혔다. PBSSD 등 차세대 솔루션으로 서버 시스템의 공간 효율성과 랙 용량을 증대시켜 고객의 에너지 절감에 기여하겠다고 덧붙엿다. 랙(Rack)은 서버, 통신 장비 등 시스템을 구성하는 장비들을 보관하는 프레임을 말한다.


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