차세대 10나노급 낸드플래시 생산라인
총 70억달러 투자…2014년 본격 양산
[서울파이낸스 임현수기자] 삼성전자가 중국 산시(陝西)성 시안(西安)시에 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인을 건설한다.
삼성전자는 12일 중국정부를 대표한 자오러지(赵乐际) 산시성 서기, 한국정부를 대표한 이규형 주중대사와 지경부 윤상직 차관 그리고 권오현 대표이사를 비롯한 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 '삼성중국 반도체' 생산단지 건설을 알리는 기공식 행사를 가졌다고 밝혔다.
삼성전자의 시안(西安) 공장은 초기 투자금액 23억불, 총 투자 규모 70억불로 2014년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산 할 계획이다. 이번 투자는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모이며 해외 진출로는 미국 오스틴 공장에 이은 두 번째다.
시안(西安)은 중국정부가 추진하는 서부대개발의 과학기술 중심도시로 반도체 생산라인 운용에 필요한 산업 용수와 전기 공급이 원활하고 글로벌 IT기업의 생산 중심지 및 연구 거점으로 성장하고 있다.
또한 시안 37개의 대학교와 3000여개의 연구 기관이 위치하고 있어 반도체 산업에서의 핵심인 우수인재 확보에도 용이한 것으로 알려졌다.
삼성전자는 이미 11일 시안(西安)시에 위치한 서북공대와 MOU를 체결해 반도체 관련 학과의 우수 학생들에게 장학금을 지급하고 국내 대학과의 교류를 지원하는 등 우수 인재 양성을 위한 노력을 시작했다.
권오현 대표이사는 환영사를 통해 "한중 수교 20주년을 맞아 첨단 과학과 교육의 도시인 시안(西安)에서 기공식을 갖게 되어 영광"이라며 "삼성전자는 메모리산업에서 세계 1위 자리를 유지해 왔으며 향후에도 '삼성중국반도체'를 통해 최고의 제품으로 인류사회에 공헌할 것"이라고 밝혔다
