세계 최초로 개발된 30나노급 4Gb DDR3 D램은 향후 대용량 프리미엄 서버 및 고사양의 개인용 컴퓨터에서 요구하는 특성을 만족시킬 수 있는 제품이란 게 하이닉스의 설명이다.
또 하이닉스는 30나노급 2기가비트 DDR3 D램에 대한 개발도 계획대로 완료해 내년 1분기부터 양산에 나설 예정이라고 밝혔다.
30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70% 가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있다.
최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품대비 처리속도가 60% 가량 빨라졌다. 2133Mbps의 데이터 전송속도는 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 3~4편에 해당되는 4.2GB(기가바이트)의 데이터를 1초 내에 처리할 수 있는 속도다.
박성욱 하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO) 부사장은 "이번에 30나노급 D램 개발이 완료됨에 따라 업계 최고 수준의 기술경쟁력 및 원가경쟁력을 확보하게 돼 후발업체와의 경쟁력 격차를 더욱 확대할 수 있게 됐다"며 "앞으로도 꾸준히 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나갈 계획"이라고 말했다.
한편, 시장조사기관 아이서플라이에 따르면 2Gb D램 비중이 올해 4분기 현재 30% 수준에서 내년 3분기에 50%를 넘어설 전망이다. 4Gb D램은 내년 말부터 시장이 형성돼 2014년 약 43%까지 비중이 확대될 것으로 전망된다.
