[서울파이낸스 박진형기자] 삼성전자가 세계 최초로 '128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈'을 본격 양산한다고 26일 밝혔다.
회사는 해당 제품에 3차원 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현했다.
삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 '64GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈' 양산에 성공해 3차원 D램 시장을 창출한 데 이어, 128GB TSV D램 모듈' 양산으로 D램 용량 한계를 돌파했다.
이번 128GB TSV D램 모듈은 최고 용량뿐만 아니라 초고속, 초절전, 고신뢰성 등 그린 IT의 요구 사항을 모두 만족해 차세대 엔터프라이즈 서버와 데이터센터에 적합하다.
128GB D램 모듈에는 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8GB DDR4 D램 칩 총 144개로 구성된다. 외관상으로는 각 칩을 TSV적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재된 모습이다.
TSV 기술은 기존 와이어(금선)를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 더욱 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현한다.
특히 이번 128GB TSV D램 모듈은 기존 와이어(금선)을 이용한 64GB D램 모듈에 비해 용량뿐만 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2400Mbps를 구현하면서도 (최대 3200Mbps) 소비전력량을 50%나 적다.
삼성전자는 연내 TSV 기술을 적용해 '128기가바이트 DDR4 LRDIMM’ 제품도 연이어 양산해 'TSV 풀라인업'을 제공할 계획이다. 또 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중을 늘려 제조 경쟁력을 한 단계 높인다는 전략이다.
최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "128GB D램 모듈 양산으로 글로벌 IT 고객들이 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다"며 "향후 다양한 분야의 시장 선도 고객들과 기술 협력을 확대하고 글로벌 IT 시장 변화를 가속화해 소비자의 사용편리성을 높이는데 기여할 것"이라고 강조했다.
