[서울파이낸스 박지은기자] 삼성전자가 이달부터 세계 최초로 20나노 4기가비트 DDR3 D램을 본격적으로 양산한다고 12일 밝혔다.

20나노 D램은 반도체 회로의 폭을 대폭 줄여 2012년부터 삼성이 양산해온 25나노 D램보다는 30%, 30나노급 D램보다는 두 배 이상 생산성이 높다.

삼성전자는 "20나노 D램은 기존보다 소비전력을 25% 절감할 수 있어 PC에서 모바일 시장까지 빠르게 비중이 확대될 것"이라고 전망했다.

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