삼성·SK, DDR5 D램 '속도' 경쟁
삼성·SK, DDR5 D램 '속도' 경쟁
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DDR5 서버용 D램. (사진=SK하이닉스)
DDR5 서버용 D램. (사진=SK하이닉스)

[서울파이낸스 이서영 기자] 반도체 한파 속에서 삼성전자와 SK하이닉스가 D램 최신 기술 경쟁을 치열하게 벌이고 있다. 

30일 SK하이닉스는 5세대 10나노급 D램 기술 개발을 완료하고, 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램' 검증 절차에 돌입했다고 밝혔다. 이 프로그램은 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖는다.

인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(기가비트)로, 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 최고 속도를 구현라는 게 회사 측 설명이다. 이는 DDR5 초창기 제품보다 데이터 처리 속도가 33% 향상됐다. 

또 회사는 이번 제품에 'HKMG(High-K Metal Gate)' 공정을 적용해 이전 제품 대비 전력 소모율을 20% 이상 줄였다.

SK하이닉스 발표에 앞서 삼성전자도 지난 18일 5세대 10나노의 DDR5 D램 양산을 시작했다고 밝혔다. 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐고, 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다고 삼성 측은 설명했다. 해당 제품은 지난해 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마쳤다. 

김종환 SK하이닉스 부사장은 "이번 제품에 앞서 지난 1월 4세대 10나노 DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증 받았다"며 "내년 상반기에는 최선단 해당 공정을 더욱 확대 적용할 것"이라고 말했다. 


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