SK하이닉스, HBM3 D램 최초 개발···"풀HD 영화 163편, 1초에"
SK하이닉스, HBM3 D램 최초 개발···"풀HD 영화 163편, 1초에"
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초당 819GB 처리, 이전 세대 대비 속도 78% 향상
현존 D램 최고 속도·최대 용량···고성능 데이터센터·슈퍼컴 적용
SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램 (사진=SK하이닉스)
SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램 (사진=SK하이닉스)

[서울파이낸스 오세정 기자] SK하이닉스는 현존 최고 사양을 갖춘 D램인 'HBM3'를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다.

HBM(고대역폭 메모리·High Bandwidth Memory)은 고성능 데이터센터나 슈퍼컴퓨터에 활용하기 위해 여러 개의 D램을 수직으로 연결한 차세대 D램으로, 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다.

HBM3는 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E)에 이은 HBM 4세대 제품이다.

2013년 업계 최초로 HBM을 출시한 SK하이닉스는 지난해 7월 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발하며 HBM 시장에서 입지를 강화하고 있다.

SK하이닉스는 "HBM3는 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현하고 품질 수준도 크게 높였다"고 강조했다.

속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 풀FD급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대(HBM2E)와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.

HBM3는 이전 세대와 달리 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 제품에 내장돼 있어 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터 오류를 스스로 보정해 제품 신뢰성도 높아졌다.

HBM3는 16GB와 업계 최대 용량인 24GB 2종으로 출시될 예정이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해냈다.

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다. 

HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝(Machine Learning)과 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.

SK하이닉스는 HBM3를 채용하는 시스템이 구축되는 내년 중반께부터 본격적으로 HBM3를 양산할 계획인 것으로 알려졌다.

차선용 SK하이닉스 부사장(D램개발담당)은 "세계 최초로 HBM D램을 출시한 데 이어 업계 최초로 HBM3 개발에도 성공했다"며 "앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하고 ESG 경영에 부합하는 제품을 공급하기 위해 최선을 다하겠다"고 말했다.


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