[서울파이낸스 김호성 기자] SK하이닉스가 현존 최고층인 238단 낸드플래시 개발에 성공하면서, 이를 계기로 낸드 시장 점유율을 얼마나 끌어올릴 수 있을지에 대한 이목이 집중된다.

현재 낸드플래시 세계 점유율은 삼성전자(35.5%)가 1위다. 이어 일본 키옥시아(19%), SK하이닉스(18.1%), 미국의 웨스턴디지털(12.2%), 마이크론(11.3%) 등이 시장 파이를 나누고 있는 구도다.

3일 SK하이닉스는 238단 낸드플래시 개발 성공을 발표하면서 이와 관련한 시제품을 납품처(고객사)에게 공급했다고 밝혔다. 이번 샘플 공급 후 SK하이닉스는 내년 상반기 양산을 시작할 예정이다. 물론 자체적인 성능 검증은 완료한 상태다. 양산을 시작하기 전까지 샘플을 받은 고객사들의 성능 및 안정성 테스트와 가격 협의가 진행될 예정이다. 다만, SK하이닉스는 샘플을 공급한 고객사 수는 공개하지 않았다.

이번 SK하이닉스의 238단 낸드플래시 개발 성공은 최근 232단을 개발한 마이크론을 뛰어 넘는 것은 물론 현존 최고층 집적 기술을 드러내는 상징적 의미가 크다.

적층 기술은 빌딩처럼 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 기술이다. 낸드플래시 경쟁력 향상을 위해선 고차원의 적층 기술이 필요하다. SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔다. 4D는 3D와 비교할 때 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산 효율은 높아지는 장점이 있다. 점유율 1위인 삼성전자는 아직 178단을 고수하고 있다.

이에 이번 제품 개발은 반도체 업계 뿐 아니라 증권사들의 관심도 상당하다.

고객사들의 샘플 테스트와 가격 협의가 원활이 진행될 경우 낸드 시장 점유율을 현격히 끌어올릴 수 있는 계기가 될 것으로 보이기 때문이다.

더구나 전세계 경기 침체로 인해 전자 제품 수요가 줄면서 하반기 이후 메모리 시장 역시 위축될 것이라는 우려가 커지는 상황이다. 낸드플레시의 판매 실적은 반도체 제조사들에 대한 기업 가치 평가에 있어 한층 더 중요한 요소로 부각되고 있다.

최근 진행된 SK하이닉스의 2분기 실적 컨퍼런스콜에서 238단 낸드플레시에 대한 증권가의 관심이 집중됐다. 증권사들은 마이크론이 232단 발표한 것과 비교해 SK하이닉스의 대응과 차세대 제품 전략에 대한 질문을 쏟아냈다.

이에 대한 노종원 SK하이닉스 사장의 답변은 '기존 176단 제품의 판매 전략을 유지해 가면서 고객 친화적 제품에 집중하겠다' 취지였다.

노 사장은 "등산을 할 때 특정한 사람들마다 페이스가 있고, 어떤 시점에서는 조금 빠르게 또는 천천히 가는 등 각자의 템포와 전략이 있다"며 "경쟁사의 경우 테크 노드를 짧게 가져가는 전략을 펼치고 있고 SK하이닉스도 이를 주목하고 있다"고 말했다.

이어 노 사장은 "솔리다임을 포함해서도 그렇고 본사 기준으로도 마켓 대비 아웃퍼폼(Out Perform)하는 비트 그로쓰(Bit growth: 비트 단위로 환산한 메모리 공급 증가량) 전략을 가져가고 있다"고 설명했다. 

또 노 사장은 "최근 메모리 시장은 누가 1~2분기 더 먼저 개발하느냐 보다 고객 친화적으로 제품을 개발하고 개발 및 제공하고 얼마나 비트 그로쓰 및 수익성을 달성하느냐 하는가에 무게 중심이 있는 것 같다"고 강조했다.  

노 사장의 답변을 종합해 해석하자면, 176단이 됐든 238단이 됐든 중요한 것은 원가를 낮추고 고객이 만족하는 친화적 제품을 공급하느냐가 관건이라는게 요지로 보인다.

이같은 관점에서 보면 이번 238단 낸드플레시 개발 성공 발표 이후 앞으로 SK하이닉스의 행보는 시장 상황에 따라 다소 가변적일 수 있다. 샘플 테스트 이후 고객사들의 호응이 기대 이상으로 나오더라도 경기 침체 변수에 따라 가격 요인이 더 민감하게 작용할 수도 있기 때문이다. 

이와 더불어 삼성전자의 행보도 관심이다.

고적층 낸드플래시 제조 기술의 핵심은 셀과 셀을 연결하는 과정에서 미세한 구멍(hole)을 뚫는 것이다. 아직까지 178단을 고수하고 있는 삼성전자가 전략에 따라 현존 최고층 기록을 언제든 세울 수 있다는게 반도체 업계의 관측이다. 이유는 SK하이닉스(238단)와 마이크론(232단)이 셀과 셀을 연결하는 과정에서 두 차례 홀을 뚫는 '더블스택'을 적용한 반면, 삼성전자는 한차례만 홀을 뚫는 이른바 '싱글 스택'만으로도 128단의 셀을 한번에 뚫을 수 있기 때문이다.

이를 단순 추산하면  삼성전자가 '싱글스택'이 아닌 '더블스택'을 적용할 경우 200단을 훨씬 뛰어 넘는 고적층 제품 개발이 당장 가능할 것으로 보인다. 결국, 삼성전자 역시 시장 상황에 따라 전략을 변화할 타이밍을 보고 있다는게 반도체 업계의 관측이다.

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