2019년 완공 목표…총 70억달러 투자 예상

[서울파이낸스 윤은식 기자] 삼성전자는 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안(西安) 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다고 28일 밝혔다.

이날 기공식에는 후허핑(胡和平) 중국 산시성(陕西省) 성위서기, 먀오웨이(苗圩) 공신부 부장, 류궈중(刘国中) 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석했다.

삼성전자는 지난해 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성(陕西省) 정부와 양해각서(MOU)를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억달러를 투자하기로 한 바 있다.

이번 라인 건설로 삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 정보·통신(IT) 시장의 요구에 적극 대응하겠다는 계획이다.

특히 이번 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중된 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고, 중국 시장 요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것으로 삼성전자는 기대한다.

김기남 삼성전자 사장은 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께, 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하여 글로벌 IT 시장 성장에 지속 이바지 하겠다"고 말했다.

윤은식 기자 다른기사 보기