[서울파이낸스 박지은기자] 삼성전자가 14나노(1나노미터는 10억분의 1ｍ) 제품 양산에 이어 업계에서 가장 먼저 10나노 기술을 공개했다.
24일 외신 및 업계에 따르면 삼성전자 반도체총괄 김기남 사장은 23일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 2015 ISSCC(International Solid-State Circuit Conference, 국제고체회로학회)에 참석, '데이터 중심 시대의 실리콘 반도체 기술과 솔루션'을 주제로 기조연설을 했다.
ISSCC는 매년 세계 반도체 전문가들이 모여 회로 설계 분야의 연구 논문을 발표하는 곳으로 반도체 기술 관련 세계 3대 학회로 꼽힌다. 김 사장은 미국 공학한림원 정회원이자 국제전기전자기술자협회(IEEE) 펠로우로 삼성전자 반도체 사업을 책임지고 있다.
이날 연설에서 김 사장은 "다가올 미래에는 사물인터넷(IoT)을 포함한 다양한 정보기술(IT) 기기의 확산으로 '데이터 중심 시대'가 도래할 것으로 예상된다"면서 "실리콘 반도체 기술의 혁신을 통해 이러한 데이터를 처리할 수 있는 반도체 칩의 성능 향상과 저전력 솔루션 확보가 가능하다"고 설명했다. 이어 실리콘 공정 미세화, 첨단 패키징, 애플리케이션을 최적화하는 시스템 솔루션 등 삼성전자의 첨단 기술을 소개했다.
업계에서 가장 먼저 14나노 기술을 적용해 제품을 생산하고 있는 삼성전자는 10나노 등 차세대 반도체 기술도 공개했다. 메모리 분야에서는 10나노급 D램 요소 기술과 3차원 V낸드 등이, 시스템 반도체 분야에서는 14나노 핀펫(FinFET)을 뛰어넘는 10나노 핀펫 기술이 각각 제시됐다.
삼성전자는 기존 20나노 공정에서 사용한 평면 구조의 한계를 극복하기 위해 업계에서 처음으로 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)를 만들 때 3차원(D) 트랜지스터 구조인 핀펫 공정을 적용하고 있다.
14나노 크기 제품을 생산할 수 있는 곳 역시 현재 삼성전자가 유일하다. 이날 공개된 10나노 기술은 이를 한 단계 뛰어넘은 것이다.
김 사장은 "반도체 미세화 기술의 한계는 없다"면서 "실리콘 반도체 기술의 혁신은 계속 이어져 미래에도 반도체 산업에 더 많은 기회가 만들어질 것"이라고 밝혔다.
